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液晶驱动芯片的时序控制:被忽视的效能瓶颈
发布时间:2026-08-08
时序精度:液晶驱动的隐性战场很多人以为液晶驱动芯片的效能仅由像素密度和刷新率决定,其实不然。在4K/8K显示技术普及的当下,真正制约系统稳定性的往往是时序控制模块的微秒级误差。以京东方合肥10.5代线为例,其单块基板尺寸达3.37米×2.94米,当驱动芯片需要同时控制超过800万个子像素时,任何0.1μs的时钟偏移都会导致面板边缘出现色彩失真。电荷共享的悖论听起来可能反直觉,但在高分辨率显示场景中
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斥资超2亿元!德迈仕拟收购芯片资产
发布时间:2026-08-08
来源:中国基金报【导读】德迈仕拟以现金2.07亿元收购上海数明25%股权中国基金报记者 嘉合8月7日晚间,德迈仕(证券代码:301007)发布公告称,该公司拟以现金2.07亿元收购德盈智投所持上海数明25%股权。交易完成后,该公司将持有上海数明25%股权。盘面来看,截至8月7日收盘,德迈仕报34.27元/股,总市值为52.55亿元。拟斥资2.07亿元收购上海数明股权对于本次收购,德迈仕在公告中称,
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极端天气扰动7月外贸增速,芯片出口仍同比激增117%
发布时间:2026-08-08
出口增速有所放缓符合市场预期 受极端天气影响,中国外贸在保持高位的同时增速有所回落。 根据8月7日海关总署公布的数据,以美元计价,2026年7月我国外贸进出口总值6832.1亿美元,较6月回落159.4亿美元;同比增长25.0%,增速较6月回落5.6个百分点。与此同时,7月出口和进口同比增速分别较6月回落3.1和8.5个百分点。 出口高位波动符合市场预期 上海财经大学公共政策与治理
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极端天气扰动7月外贸增速,芯片出口仍同比激增117%
发布时间:2026-08-08
出口增速有所放缓符合市场预期 受极端天气影响,中国外贸在保持高位的同时增速有所回落。根据8月7日海关总署公布的数据,以美元计价,2026年7月我国外贸进出口总值6832.1亿美元,较6月回落159.4亿美元;同比增长25.0%,增速较6月回落5.6个百分点。与此同时,7月出口和进口同比增速分别较6月回落3.1和8.5个百分点。出口高位波动符合市场预期上海财经大学公共政策与治理研究院首席专家杨畅表示
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芯片出口同比激增117%
发布时间:2026-08-08
2026.08.08本文字数:1555,阅读时长大约3分钟作者 | 第一财经 缪琦受极端天气影响,中国外贸在保持高位的同时增速有所回落。根据8月7日海关总署公布的数据,以美元计价,2026年7月我国外贸进出口总值6832.1亿美元,较6月回落159.4亿美元;同比增长25.0%,增速较6月回落5.6个百分点。与此同时,7月出口和进口同比增速分别较6月回落3.1和8.5个百分点。出口高位波动符合市场
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这家企业把“力觉传感器”做到芯片级
发布时间:2026-08-08
本文转自:大众日报方垒 张锡坤孙启萌展示芯片级的硅基MEMS六维力传感器。(□通讯员 王玉璋 侯振鹏 报道)□ 本报记者 方垒 张锡坤“这是我们这次参会带来的新款产品——芯片级的硅基MEMS六维力传感器,尺寸只有8毫米×8毫米,厚度0.8毫米。”8月7日下午,“齐鲁制造会客厅”机器人专场活动现场的展示区,山东港智创信电子科技有限公司董事长孙启萌从展台上拿起一枚比指甲盖还小的器件,向围观的人介绍。旁
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IGBT驱动芯片:从实验室到赛道的性能跃迁
发布时间:2026-08-08
底层逻辑:功率器件的“神经中枢”很多人以为IGBT驱动芯片仅是功率开关的信号转换器,其实不然。作为连接控制单元与功率模块的桥梁,其动态响应速度、抗干扰能力及热管理效率直接决定IGBT的开关损耗与系统可靠性。以某头部车企的800V高压平台为例,其驱动芯片需在20ns内完成从逻辑电平到15V栅极驱动的转换,同时抑制因寄生电感引发的电压尖峰——这一指标比传统400V平台苛刻3倍以上。技术突破:动态负偏压
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AIGC驱动运动相机行业增长 产业链公司密集布局光学与AI芯片
发布时间:2026-08-08
(来源:证券时报) 证券时报记者 康殷 洛图科技(RUNTO)最新数据显示,2026年上半年,中国运动相机市场在线上全渠道实现销量311.9万台、销售额82亿元,同比增幅双双超过90%。洛图科技预测,2026年全年国内运动相机线上市场销售额有望突破200亿元。 双龙头格局已定 市场规模高速扩张的同时,市场份额越来越向龙头企业集中。大疆、影石两大品牌合计占据线上市场89.4%的销量和97
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三相无刷电机驱动芯片:从理论到工业落地的技术突围
发布时间:2026-08-08
三相无刷电机驱动芯片:从理论到工业落地的技术突围很多人以为三相无刷电机驱动芯片的设计只需满足基本换相逻辑与PWM调制即可,其实不然。在工业级应用中,芯片需同时解决动态响应延迟、死区时间补偿、电流采样精度三大矛盾——这直接决定了电机在高速区(>10krpm)的转矩脉动抑制能力。以某国产新能源汽车主驱系统为例,其采用的第三代SiC MOSFET驱动芯片,通过引入自适应死区补偿算法,将传统方案中2μs的
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