2025年功率半导体行业分析报告：技术迭代×能源革命×国产替代的三重奏（附下载）

功率MOSFET自20世🆖纪80年代进入实用，其工作频率达到MHz量级，使得开关电源等高频应用成为可能。硅功率MOSFET一般为N沟道增强型，利用栅极电压在P型体区诱导形成N沟道导通电流。MOSFET为电压驱动器件，栅极驱动简单且输入阻抗高；导通时无二极管的恢复问题，因此开关损耗较低，非常适合高频环境下的小功率变换器。在低压(几十伏至数百伏)应用领域，硅MOSFET的导通电阻可以做到很小且开关损耗低，因此在通信电源、计算机VRM、家电逆变等广泛取代了双极晶体管。然而对于耐压较高。

捷捷微电(300623)：一季度业绩超预期 积极布局特色产品线

MOSFET 产品着力于Trench、SGT 、SuperJunction 、超高压Planar MOSFET 等关键核心技(jì)术(shù)，致(zhì)力(lì)于(yú)打(dǎ)造(zào)低(dī)功(gōng)耗(hào)技(jì)能(néng)节(jié)能(néng)环(huán)保(bǎo)和(hé)高(gāo)频(pín)高(gāo)效(xiào)功(gōng)率(lǜ)器(qì)件(jiàn)。车(chē)规(guī)级(jí)芯(xīn)片(piàn)聚(jù)焦(jiāo)于(yú)DFN、LFPACK、TOLL 等(děng)级(jí)大(dà)功(gōng)率(lǜ)器(qì)件(jiàn)，🈹Kaiyun官方持(chí)续(xù)推(tuī)进(jìn)“功(gōng)率(lǜ)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)‘车(chē)规(guī)级(jí)’封(fēng)测(cè)产(chǎn)业(yè)化(huà)项(xiàng)目(mù)”。公(gōng)司(sī)加(jiā)大(dà)对(duì)SGT MOS、SJ MOS、先(xiān)进(jìn)整(zhěng)流(liú)器(qì)等(děng)项(xiàng)目(mù)研(yán)发(fā)，持(chí)续(xù)拓(tà)宽(kuān)产(chǎn)品(pǐn)结(jié)构(gòu)、应(yīng)用(yòng)领(lǐng)域和(hé)客(kè)户(hù)结(jié)构(gòu)，逐(zhú)步(bù)扩(kuò)大(dà)市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)。同(tóng)时(shí)，积(jī)极(jí)布(bù)局(jú)有(yǒu)特(tè)色(sè)的(de)FRD、高(gāo)端(duān)整(zhěng)流(liú)器(qì)产(chǎn)品(pǐn)线(xiàn)，进(jìn)一(yī)步(bù)实(shí)现(xiàn)轻(qīng)薄(báo)小(xiǎo)、更(gèng)大(dà)电(diàn)流(liú)。

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目(mù)前(qián)小(xiǎo)信(xìn)号(hào)分(fēn)立(lì)器(qì)件(jiàn)的(de)国(guó)产(chǎn)替(tì)代(dài)在(zài)部(bù)分(fēn)中(zhōng)低(dī)端(duān)的(de)应(yīng)用(yòng)场(chǎng)景(jǐng)已(yǐ)基(jī)本(běn)实(shí)现(xiàn)，在(zài)中(zhōng)高(gāo)端(duān)应(yīng)用(yòng)场(chǎng)景(jǐng)，中(zhōng)国(guó)头(tóu)部(bù)企(qǐ)业(yè)逐(zhú)渐(jiàn)实(shí)现(xiàn)技(jì)术(shù)赶(gǎn)超(chāo)，下(xià)游(yóu)需(xū)求(qiú)端(duān)的(de)国(guó)产(chǎn)替(tì)代(dài)意(yì)愿(yuàn)逐(zhú)年(nián)升(shēng)高(gāo)。未(wèi)来(lái)，随(suí)🍎Kaiyun官方着中国小信号分立器件行业逐步突破高端产品的技术瓶颈，中国小信号分立器件对进口的依赖将会进一步减弱，替代效应将显著增加。全球小信号器件市场技术发展成熟，国际企业具有先发优势 资料来源：头豹研究院 车用、数据中心等高端MOSFET市场需求旺盛，消费等领域国产替代空间广阔。功率MOSFET是一种金属氧化物-硅场效应晶体管，旨在用于低。

细分行业研究-功率半导体

汽车电动化是大势所趋，与传统汽车相比，电动车内置功率半导体价值量大幅提高，大幅提高对MOSFET使用需求；而5G基站中MassiveMIMO技术的采用，同时处理数据量的增加也对功率器件的工作温度要求有所提高，驱动MOSFET功率器件实现量价齐升。IGBT：工控领域的核心，应用前景广阔，是🌍由双极型三极管（BJT）和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)功(gōng)率(lǜ)器(qì)件(jiàn)，IGBT驱(qū)动(dòng)功(gōng)率(lǜ)小(xiǎo)而(ér)饱(bǎo)和(hé)压(yā)降(jiàng)低(dī)，非(fēi)常(cháng)适(shì)合(hé)应(yīng)用(yòng)于(yú)直(zhí)流(liú)电(diàn)压(yā)为(wèi)600V及(jí)以(yǐ)上(shàng)的(de)变(biàn)流(liú)系(xì)统(tǒng)，如(rú)交(jiāo)流(liú)电(diàn)机(jī)、变(biàn)频(pín)器(qì)、开(kāi)关电(diàn)源(yuán)、。

锴威特：公司将于4月15-17号携以功率MOSFET、电机驱动芯片、电源管理芯片、智能功率模块

同花顺金融研究中心04月10日讯，有投资者向锴威特提问， 您好，请问贵司参展慕尼黑上海电子展主要展示哪个方向的产品？市场反响如何？ 公司回答表示，尊敬的投资者，您好！公司将于4月15-17号携以功率MOSFET、电机驱动芯片、电源管理芯片、智能功率模块（IPM）为核心的功率产品矩阵亮相慕尼黑上海电子展，通过多元化技术路径为客户提供高性能、高可靠性的解决方案。感谢您的关注！点击进入交易所官方互动平台查看更多。